斯迪克跌5.57%，成交额8.06亿元，近5日主力净流入-1878.12万

  斯迪克跌5.57%，成交额8.06亿元，近3日主力净流入-3561.28万

  芯恩请求防反溅护罩、光刻胶涂覆设备及半导体加工设备专利，处理光刻工艺进程中液滴反溅的问题

  芯恩请求半导体结构及其制备办法、自对准硅化物阻挠结构专利，处理有关技能中BCD工艺中SAB结构小距离区域因SIN未彻底封口导致光刻胶残...

  劳力士请求挂钟部件制作办法专利，能在未被移除的光刻胶N+1层的一部分光刻胶下方形成型腔

  雅克科技：拟与出资人一起对半导体光刻胶子公司江苏雅睿增资不超越17.89亿元

  材华科技请求反响性显现光刻胶色浆用酞菁染料及其组成办法专利，成膜后表现出优异的耐候性

  芯粤能获得一种防止光刻胶在激活炉蝶阀上凝聚的冷阱设备专利，完成挥发物的定向捕获

  瑞红电子请求用于半导体的I线正性光刻胶及其制备办法专利，使光刻胶在大尺度面板涂布进程中涂布均一性明显提高

  新视界光电请求一种削减金属氧化物图画化进程光刻胶残留的TFT制备办法及器材专利，将光刻胶残留量下降

  瑞红电子请求一种用于按捺驻波的聚合物及其制备办法、光刻胶及光刻图形专利，按捺驻波效应带来的不良影响

  信联电子资料科技请求一种KrF光刻胶质料的金属杂质检测设备和办法专利，处理光刻胶质料金属杂质检测搁笔准确性与稳定性低的技能问题

  瑞联新材请求一种低介电常数光刻胶组合物及其使用专利，完成了低介电、高分辨率和高耐久的三元功能平衡

  信联电子获得具有抗反射涂层的光刻胶反响釜专利，防止釜内部分温度骤升或温差过大

  上海交通大学、鹏创华腾请求根据ICP等离子体处理的光敏聚合物有机介质层制作办法专利，改进黏附性

  存储扩产撬动数百亿设备收购，出资天弘半导体资料设备基金迎国产代替窗口时机

  彤程新材跌2.70%，成交额6.18亿元，近5日主力净流入-3.28亿

  容大感光涨0.20%，成交额2.93亿元，近3日主力净流入2088.19万

  宁波南大光电请求BARC树脂及其制备办法和用处专利，有用改进光刻胶的图画分辨率和线宽粗糙度

  日本：10月1日光刻胶提价，15%！防范：中心质料打破，，脱节，100%，比翼齐飞！

  华虹半导体（无锡）请求针对光刻机外表水平传感器的监控办法专利，可以处理有关技能中对外表水平传感器的监控质量欠安的问题

  福特科请求一种金属硬掩模制备分区异质镀膜的光学元件制备办法专利，处理光刻胶无法耐受高温镀膜导致分区异质镀膜没办法完成的问题